ST Catania dalla sua fondazione nel 1961 ad ora ha sempre avuto come obbiettivo principale la fabbricazione di dispositivi di potenza, ma molte volte e' partita con un ritardo rilevante.
Nel caso dei transistori bipolari al silicio il ritardo era notevole.
Si iniziato nel 1973, mentre il primo dispositivo era uscito ben 15 anni prima.
Adesso con il SiC invece ST e' decisamente il pole position.
I grafici che seguono servono solo per farsi un'idea di massima.
E' tuttavia il caso di far notare che nei tre casi presentati malgrado le loro differenze condividono la stessa velocita' di crescita del 50% per anno per molti anni.
Il grafico sopra accumula dati di varia provenienza.
I dati piu' interessanti, dal 1973 al 1986, provengono dalla mia seconda operation review a Catania del 19 novembre 1981, sono dati in miliardi di lire, che ho convertito in dollari al cambio medio annuale.
In quel periodo il nome della societa' era SGS-ATES.
I dati dei PMOS e dei bipolare sono presi da un'altra operation review.
Il dato del 2005 dall'ultimo progress report del gennaio 2006.
I dati dei PMOS e dei bipolare sono presi da un'altra operation review.
Il dato del 2005 dall'ultimo progress report del gennaio 2006.
La previsione per il SiC e' presa da Statista attribuendo ad ST un market share del 8.8 %.
Chiaramente questi dati per avere significato dovrebbero essere messi nel contesto degli andamenti realizzati dalla concorrenza o delle azioni fatte per conseguire i risultati mostrati.
Sia nel campo dei transistori bipolari che per i PMOS i primi passi sono stati mossi con un certo ritardo forse 5~6 anni per i bipolari, almeno due anni per i PMOS.
Per il SiC invece la ST ha almeno un anno di vantaggio sul concorrente piu' vicino.
Sia nel campo dei transistori bipolari che per i PMOS i primi passi sono stati mossi con un certo ritardo forse 5~6 anni per i bipolari, almeno due anni per i PMOS.
Per il SiC invece la ST ha almeno un anno di vantaggio sul concorrente piu' vicino.
Chiaramente fra i vari dati che si trovano su internet si sono discrepanze anche di oltre un fattore due.
Il primo transistore bipolare.
Negli anni 60 Mario Conti introdusse in SGS-Fairchild il concetto del field plate poi via via perfezionato ed invento' l'energy layer che negli anni 80 ha permesso ad ST di avere dispositivi di potenza estremamente robusti. Purtroppo nel 1969 la direzione decise di abbandonare l'attivita' di ricerca sui transistori discreti. Non conosco i motivi per cui la situazione nel 1981 non fosse per niente brillante.
Per i PMOS ecco alcuni lavori demandati ad Agrate, l' autore degli studi sono io.
Per i PMOS ecco alcuni lavori demandati ad Agrate, l' autore degli studi sono io.
Ma alla fine si parti solo nel 1980.
Nessun commento:
Posta un commento