mercoledì 14 aprile 2021

I famosi e perfetti "transistore RCA" si irradieranno da Catania nel Mondo

 


Da La Sicilia del 3 agosto 1961

Gli stabilimenti della ATES

I famosi e perfetti «transistore RCA»

si irradieranno da Catania nel Mondo

Attrezzature speciali e persona/e particolarmente addestrato nei grandiosi impianti che entreranno in funzione nei prossimi mesi alla zona industriale

 

La radio e la televisione rappresentano l'aspetto più noto al pubblico di una scienza e di una tecnica della quale esse rappresentano in realtà solo un settore, la tecnica elettronica. questa tecnica ha raggiunto oggi sviluppi del tutto impensati, tutto ciò che oggi è controllato e costruito dall'uomo ha in sé il contributo dell'elettronica.
Senza quest'ultima, le più recenti conquiste umane, quali quella dello spazio, quella di particolari forme di ragionamento sintetico ottenuto per mezzo del calcolo elettronico e tante altre ancora, non sarebbero neppure pensabili.
L'industria elettronica e ‘assurta quindi, al ruolo di industria complementare a tutte le altre, tanto che il suo sviluppo deve accompagnarsi, e anzi deve precedere, quello di ogni altro settore industriale. 

Il governo italiano particolarmente sensibile ai problemi del rimodernamento della struttura Industriale del Paese, e in particolare al rafforzamento di quella del Sud d'Italia, non poteva sottovalutare il problema di un’industria elettronica forte e progredita, capace di affiancarsi alle altre iniziative industriali in atto nel Mezzogiorno

Tramite l’IRI e la Finmeccanica il governo italiano fondava a questo scopo nel '59 l’ATES (Aziende Tecniche Elettroniche del Sud S p A ) e la rendeva operante nell'ambito della Cassa del Mezzogiorno.
Scopo della ATES era. quindi, quello di creare modernissimi complessi produttivi nel Sud d'Italia contribuendo cosi allo sviluppo economico di questa zona del Paese.

Un'iniziativa di sì vasto respiro non poteva tuttavia avvenire senza il contributo tecnico, scientifico e organizzativo di un'industria avente una vastissima esperienza in materia.
In base a un accordo fra l’IRI e l'RCA-Radio Corporation of America (uno dei più grandi complessi industriali del mondo nel settore dell'elettronica) la ATES veniva resa operante con la direzione tecnica e organizzativa della RCA International Ltd, una Società posseduta dall'RCA col compito preciso 
di sviluppare iniziative industriali in campo internazionale.

L'ardlta ed elegante struttura dello stabilimento semlconduttori ATES di Catania, secondo un modello plastico del progetto.
Fra alcuni mesi la zona Industriale di Catania si arricchirà di questo copolavoro d'ingegneria e di tecnica.

Tutto il vasto potenziale scientifico e di ricerca della RCA passava così a disposizione della ATES. che poteva dar vita alle varie fasi del suo sviluppo.
La ATES acquistava su queste basi la proprietà a L’Aquila di uno stabilimento per la fabbricazione dei tubi elettronici riceventi e trasmittenti e decideva di costruire a Catania un efficientissimo stabilimento per la produzione del semiconduttori, cioè di quei moderni componenti elettronici meglio noti col nome di «transistore».

La città di Catania veniva scelta dalla ATES e dalla RCA tn base a numerose considerazioni di carattere tecnico e organizzativo, quali la disponibilità di mano d’ opera facilmente qualificabile con le moderne tecniche di addestramento, le condizioni di alto sviluppo sociale, sufficienti rifornimenti

di acqua di ottime proprietà chimico-fisiche, la bassa umidità, l'esistenza di un aeroporto e la possibilità di reperire sul posto tecnici provenienti dall'organizzazione scolastica della città. La località scelta è la Zona Industriale di Catania e lo stabilmente sorge su un'area coperta di circa 9600 metri quadrati. Il fabbricato, pressoché ultimato nella sua parte muraria, è un moderno stabile unico, ad un piano, costituito da quattro blocchi comprendenti il salone di produzione, l'amministrazione, il bar, mensa e locali di ristoro per il personale e gli spogliatoi.
La delicatezza delle operazioni di produzione dei semiconduttori richiede condizioni di ambiente assolutamente eccezionali, si pensi che i locali di produzione sono completamente ad aria condizionata ed illuminati con luce artificiale scientificamente studiata. La temperatura all’interno e’ tenuta a 23.3 gradi centigradi con oscillazioni massime di più o meno un grado circa!
Le operazioni avvengono ad opera di personale in gran parte femminile, seduto in posizioni di lavoro specialmente studiate. La polvere e le scorie sono eliminate mediante sistemi di pulitura dell'aria. I pavimenti e i colori delle pareti  sono assolutamente speciali.
La comodità dei dipendenti e la loro assistenza sono oggetto di speciali cure.
Nello stabilimento prendono posto macchinari di altissima specializzazione che sono giunti con cronometrica puntualità dagli Stati Uniti proprio in questi giorni per mezzo della nave «Export Alde», la quale ha scaricato nel porto di Catania oltre 300 tonnellate di materiale.

Lo stabilimento ATES di Catania, che è da ritenersi il più moderno stabilimento del genere in Europa, e stato progettato dalla RCA sulla scorta delle imponenti esperienze fatte in questo settore negli Stati Uniti  La magnifica unità industriale è in particolare opera dell'appassionato lavoro dell'ing. J. M Spooner, un tecnico di eccezionale esperienza nel settore produttivo e organizzativo nel campo dell'elettronica.
L'ing Spooner, appartenente alla RCA International Ltd., ha seguito la progettazione degli impianti e la loro realizzazione fin dagli inizi e si è stabilito a Catania assumendo la direzione dello stabilimento.

Questa realizzazione è avvenuta, inoltre, sotto la direzione dell'ing J R. Bejarano, presidente dell'RCA International Ltd. e dell’ing. Pietro Vaccari amministratore delegato della ATES, che ha profuso in questa opera la sua dinamica esperienza di organizzatore e di amministratore.
Le operazioni di produzione avranno inizio entro i prossimi mesi. Saranno prodotti transistori per applicazioni nei radioricevitori, nei televisori e in qualunque impiego industriale, quali calcolatori elettronici, i controlli elettronici industriali etc.

Il gruppo direttivo dello stabilimento ATES di Catania e i dirigenti della direzione centrale della società di Roma ci hanno  espresso la loro soddisfazione per avere scelto la nostra città quale sede della loro nuova attività Essi, infatti .hanno dichiarato di avere trovato qui, oltre alla calorosa cordialità della gente di Catania, l'incondizionato e fattivo appoggio della pubblica amministrazione, degli enti locali e dei vari circoli produttivi della citta

Da Catania, dunque, si irradieranno presto in Italia e nel mondo, i messaggeri della nuova civiltà industriale del Sud d'Italia: i famosi • perfetti transistori RCA.

 

lunedì 12 aprile 2021

Storia autobiografica dei micro. G. Ferla (da preparare)

 

M088, (196x 174) n-channel Silicon Gate
terza versione micro 4 bit, circa 1974
Nel dicembre del 1969 mi fu comunicato che il gruppo di circa 15 di cui ero il responsabile sarebbe stato sciolto ed sarei passato alle dipendenze di Franco Berenga per lo sviluppo dei processi MOS.
La cosa non mi colse molto di sorpresa perché da tempo correva voce che i transistori discreti erano in difficoltà perché non generavano utile.
Il sistema per calcolare il prezzo di vendita era piuttosto bizzarro, per quello che ne sapessi.
Per generare utile il prezzo doveva essere 10 volte il costo del silicio in modo da coprire tutti i costi.
Ma a parte i primi due transistori progettati per i tuner dei televisori, che erano microscopici, gli altri quali il transistore per la deflessione di quadro avevano dimensioni notevoli, ma un processo semplice e con rese elevati.
Correva anche un'altra legenda, che i tempi di produzione erano anche di sei mesi.
Per accelerare i tempi di sviluppo in R&D Franco Morandi ed 

domenica 11 aprile 2021

Dal silicio al SiC: l'epitassia Gli inizi, bozza (G.Ferla)

Il protagonista: Giuseppe Abbondanza

Altri attori sono Edmondo De Benedetti ed Armando Bottelli
Giuseppe pur essendo di ben 10 anni più vecchio degli altri due è colui che  ha portato la tecnica ai livelli più alti, dando prima ad SGS-Ates un notevole vantaggio competitivo.
Alla fine degli anni 90, già in pensione propose all'ing Castorina  di essere in grado, praticamente senza risorse, di costruire e portare avanti una sperimentazione per la crescita epitassiale del SiC su Silicio. 
L'attività ebbe successo ed attualmente, credo, non sia esagerato dire che costituisce una rinascita per lo stabilimento di Catania e per ST.
Nuova area è stata acquistata a nord dell'attuale sede, importanti accordi sono stati firmanti con Crei per la fornitura di fette di SiC ed una piccolo azienda la Norstel è stata acquisita e Giuseppe continua ancora ad avanzare proposte di nuovi progetti.


Grafico da rifare, i dati sono del 2005 e manca la linea teorica del Sic

Per capire l'importanza del SiC nei dispositivi di potenza, basta osservare il grafico sopra.
L'ascissa da' la tensione e l'ordinata da' la resistenza che si ottiene con un cmq si silicio.
Alla fine degli anni 90 per commutare a 800 V si sarebbero avuti ben 250 mohm,
Troppo per poter avere un circuito accettabile per commutare 10 A anche anche con un cmq di silicio.
L'invenzione della super-junction permise poi di superare i limiti teorici del silicio planare costruendo a tutti gli effetti il dispositivo su due dimensioni
L'invenzione in circa dieci anni ha consentito di ridurre la resistenza, o se si preferisce l'area di silicio di oltre un fattore 10. A 800 V con 1 cmq si hanno solo 25 mohm
Con il SiC si aggiunge un altro ordine di grandezza, solo 2.5 mohm
La commutazione e la trasformazione di energia aprono all'instrua dei semiconduttori un campo enorme quello dei motori delle auto elettriche e delle stazione di ricarica inizio una stagione di grande crescita come quell che abbiamo visto negli anni dal 1970 al 2000.
Il SiC  e' l'anima di questa crescita

Gli inizi della storia

Riprendiamo la storia dagli inizi con Armando Bottelli ed Edoardo De Benedetti.
L'epitassia è la tecnica con cui si fa crescere uno strato sottile di silicio su una fetta di silicio facendo condensare un gas od un vapore vapore contenente silicio.
Per me fino al 1968 l'epitassia era soltanto una coppia di numero, resistività; e spessore per ottenere le prestazione di tensione e di portata in corrente richieste al transistore in progettazione..

Ad Agrate di tanto in tanto venivano organizzate delle conferenze per illustrare dei risultati interessanti o per discutere qualche problema.
Ero buon amico di molti ricercatori del gruppo sviluppo tecnologie, fra questi Armando Bottelli, un ricercatore molto preparato.
Proveniva dalla Normale di Pisa ed buon nuotatore, era più veloce di me e la cosa mi disturbava un po'.

Comunque fui invitato ad una conferenza che interessava i due.
Edmondo, responsabile dell'epitassia, doveva illustrava cosa bisognava fare per cambiare tipo di processo poiché si voleva passare da depositare silicio da un vapore di un qualche cloruro di silicio ad un gas, il silano ed inoltre si voleva usare un forno normale, invece invece della tecnica per induzione elettromagnetica con navicella di supporto in grafite.
Il cloruro di silicio a contatto con la superfice caldo del silicio o della grafite si decompone ed il silicio si deposita appunto da fase gassosa.
Usando il silano si incorreva in molti problemi, perché a contatto con l'atmosfera brucia spontaneamente ed avendo idrogeno e gli elementi riscaldanti esterni si rischiavano delle esplosioni.
Non era più necessario tenere le fette poggiate sul substrato di carbonio e si sarebbero potuti depositare strati sottili di silicio anche su ossido.
Ne sarebbe nato il processo silicon gate. Ma questa e' un'altra storia
Per far capire i problemi Edmondo portò nella stanza della conferenza, che era adiacente al mio ufficio, il tubo rettangolare ed altri elementi "Exhibit"
La decisine finale fu che si poteva provare un processo alternativo per depositare film sottili di silicio policristallino, ma questa è un'altra storia, che riguarda prima Armando Bottelli e poi me.

Durante la conferenza Edmondo era stato ricco di particolare e si era preso cura di mostrare quanti piu' fatti possibile. Io presi uno di questi "Exhibit": una fetta coperta di SiC.
Il SiC era uno strato simile ad una pietraia. Il ricordo mi avrebbe accompagnato per quasi 30 anni.
Quando Giuseppe ebbe la sua idea idea approvata dall'ing Castorina ero piuttosto scettico e del resto io dovevo fare poco, dare un giovane ricercatore e fare eventualmente qualche caratterizzazione.
Ero un po' scettico anche se Giuseppe come responsabile dell'epitassia aveva mostrato notevole competenza. 
Giuseppe aveva in verità abbandonato il reparto da parecchio tempo per fare il Business Manager dei bipolare quando Italo Sordi lasciò Catania per tornare a Milano,

L'epitassia a Catania.

Giuseppe è stato fra le prime persone che ho conosciuto quando mi sono trasferito a Catania.
Castorina lo aveva chiamato nel suo ufficio per delle spiegazioni e mi chiese di partecipare all'incontro.
I 12 anni non erano passati per niente, il livello di sofisticazione del processo era di tutt'altro livello di quello di Agrate di 13 anni prima.
Aveva sviluppato l'attrezzatura relativa ed i processi che hanno consentito velocità' di crescita almeno un fattore due più alta della concorrenza ed il processo del cosiddetto "energy layer" .

Ciò ha consentito di avere dispositivi di potenza e di alta tensione con tecnologia planare, che ha un enorme vantaggio di resa rispetto alla tecnologia mesa non planare o alla tecnolgia tripla diffusa. L'energy layer inoltre rende estremamente robusti i dispositivi che possono commutare grandi potenza in condizioni estreme senza distruggersi.
Tutto cio' ha premesso ai dispositivi di potenza di ST di raggiungere la prima posizione al mondo per market share   ( da verificare)


venerdì 9 aprile 2021

Una storia per SGS

 SGS, fra le società che hanno contribuito alla nascita di ST, è quella che ha la storia di notevole rilievo.
Fu fondata solo 16 giorni dopo Fairchild, la societa' che ha dato origine letteralmente alla Silicon Valley.
Ha avuto nel consiglio di amministrazione Bob Noyce, detto The Mayor of the Silicon Valley.
Gordon Moore come responsabile della ricerca.
Personalmente ho ancora gli esercizi che Coppola Redi faceva svolgere per conto di Andrew Grove
Bruno Murari con il supporto di molti altri ha preso l'iniziativa di raccogliere del materiale in modo da farne un libro adesso che ancor possono contribuire persone che partecipato agli eventi che hanno dato forma ad ST. Primo fra tutti Pasquale Pistorio, poi Aldo Romano.
Senza trascurare i decani della societa' Raimondo Paletto e poi Abbondanza e Fabio Borri classe dicembre 1960.

Per dare a Bruno qualcosa di utile raccoglierò in questo blog tutti i contributi dei volontari.
Questo e' uno schema  in evoluzioe di come seguire degli eventi un po' fuori la sfera di influenza della storica TPA .
Sommario al 31 marzo 2021

giovedì 8 aprile 2021

Precisazione Importante per chi vuole contribuire a Una storia per SGS

 L’ufficio relazioni esterne di ST è stato avvertito, ma qualsiasi contributo non fa parte del programma che incentiva a pubblicare.

Quindi nessun premio, chi vuole contribuire lo fa nel proprio tempo e sotto la propria responsabilità.
Non devono assolutamente essere rilevati fatti e dettagli che possono nuocere ST.
Altro punto è che qualsiasi sia la proposta di contributo, la pubblicazione ha parecchi stadi e l’autori o gli autori hanno piena libertà di accettare o meno il contributo e chiedere a fare delle modifiche.
Mi auguro comunque che molti di voi abbiano abbastanza passione per il proprio lavoro e contributi tali da valer lo sforzo per provare a condividerli.,

Scrivere 3000 battute o cercare un bel grafico o una bella foto richiede solo un paio d’ora.
Sono disponibile tutti i giorni, con un po’di preavviso, per discuterne

VIPower, un'invenzione su ordinazione 1/

 VIPower, un’invenzione su ordinazione


VIPower. Vertical Integrated Power, sono integrati di potenza con flusso di corrente verticale e la capacità di tenere anche 800 volt e far passare correnti anche di 10 ampere.
Al momento (2020) hanno un fatturato di quasi un decimo del fatturato di ST.
Per qualche aspetto sono i fratelli minori dei BCD, per il fatto di consentire di avere un solo dispositivo di potenza, mentre per la loro struttura i BCD possono averne parecchi.
I dispositivi a flusso di corrente verticale hanno il controllo della corrente, che è a bassa tensione e quindi non richiede grandi dimensioni, lungo la superficie del silicio e la parte che deve tenere tensione nella dimensione perpendicolare, quindi consentono densità di potenza molto elevate.
VIPower M1, VB027 accenzione elettronica, 1000v-8.5A

Vediamo come è nata l’invenzione
Una sera di fine luglio del 1981 ero a cena con l’ing Salvatore Castorina al ristorante la Costa Azzurra di Ognina, Catania.
Ci conoscevamo dai tempi del Politecnico nei lunghi viaggi da Torino alla Sicilia.
Avevamo fatto insieme anche il primo viaggio di lavoro 16 anni prima, verso Nord, per iniziare a lavorare, lui alla Thomson ed io in SGS-Fairchild.
L’obiettivo della cena era la sua proposta di assumere l’incarico di responsabile della ricerca del gruppo che gli era stato assegnato dall’ing. Pistorio, la DSG, Discretes and Standard Circuits.
Lo avevo incontrato qualche settimana prima ad Agrate, dove stava cercando di trovare personale nella nuova organizzazione che stava mettendo in piedi a Catania.
Vi era già un responsabile della ricerca a Catania, Eugenio Cavallari, una persona molto estroversa.
Ma la moglie non si trovava bene a Catania e cosi aveva dovuto rinunciare all’incarico.
Io non avevo di questi problemi, anzi mi avrebbe fatto piacere ritornare in Sicilia, cosi potevo stare vicino al mare ed al mio paese natale, Palazzolo Acreide.
Il problema era il lavoro. La ricerca di cui si trattava era assolutamente nella fascia tecnologicamente più bassa possibile: transistori di potenza e logiche standard per il gruppo DSG.
 Avevo iniziato la mia attività di ricercatore progettando il primo transistore planare ed avevo proseguito per 4 anni, quando era passato allo sviluppo di tecnologie per circuiti digitali VLSI, facendo dalle tecnologie per micro a quelle per le memorie ed il campo era sempre in evoluzione.
Si trattava di un passo indietro notevole, avrei avuto il vantaggio di avere il controllo di tutti i gruppi, dalla progettazione circuitale alla linea pilota alle tecnologie, non avrei avuto problemi con la produzione, per cui accettai l’incarico senza problemi.
Salvatore aveva anche un altro argomento molto convincente mettere insieme un dispositivo di potenza con un integrato di controllo.
Facile a dirsi ben più difficile a farsi, comunque i primi tre anni furono spesi a risolvere problemi di resa enormi. Le rese erano a livelli ridicoli. I costi erano oltre il doppio devi ricavi delle vendite, altri problemi venivano dal package e dalle tecnologie veramente obsolete dei circuiti standard.

A partire dal 1984 si cominciò a pensare a varie soluzioni per l’integrato di potenza.
Il prodotto da sviluppare era già chiaro. Occorreva consolidare la già ottima posizione di mercato che nel frattempo si stava acquisendo per le accensioni elettroniche con l’invenzione di
Il problema fondamentale è che i discreti richiedono un substrato di tipo N, mentre gli integrati richiedono un substrato di tipo P.
Si pensava ad un isolamento mesa,  non planare, come quello utilizzato nei dispositivi di potenza di maggiore tensione, ma vi erano vari problemi irrisolvibili

La soluzione arrivò all’improvviso con la visita a Catania di Franco Bertotti, che curava a Castelletto l’integrazione di processo per Murari.
Eravamo amici di lunga data e Franco voleva essere informato di alcuni processi che avevamo in sviluppo, il così detto light emitter, la sostituzione dell’impianto di antimonio con l’arsenico e qualche altra cosa. Alla riunione partecipò Salvatore Musumeci, una delle persone più brillante del mio mio gruppo e Salvo Raciti.
Quando si parlò della difficoltà di avere un isolamento planare molto profondo, Franco propose di dividere la crescita epitassiale in due per consentire la fabbricazione per diffusione dello strato p necessario all’integrato per diffusione partendo sia dal basso che dall’alto. Questo consentiva di avere sia l’epitassia N necessaria per i dispositivi di potenza l’integrato di controllo.

Nacque il brevetto US 4641171 a nome F. Bertotti, G. Ferla, S, Musumeci, S. Raciti
L’implementazione richiese quasi due anni, alla fine nacque la prima accensione elettronica integrata. Il VB20. Fu presentata con grande successo alla conferenza IEEE sui dispositivi di potenza di Tokyo del 1986.
In realtà serviva dell’altro per avere un VIPower funzionante in maniera efficiente: serviva l’invenzione del transistore bizzarro e del diodo autarchico, ma si tratta di altre storie.





martedì 6 aprile 2021

Memorie non volatili: dal mono bit al Terabit (in preparazione)

Le memorie non volatili hanno una storia che inizia ben prima di quanto si potrebbe supporre dal primo articolo sull'argomento di SGS-Ates

 F. Berenga et al., "E2-PROM TV synthesizer," 1978 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, San Francisco, CA, USA, 1978, pp. 196-197, doi: 10.1109/ISSCC.1978.1155768. 

L'inizio dell'attività risale infatti agli anni sessanta, con la richiesta di Andrew Grove di caratterizzare conducibilità e polarizzazione di ossidi drogati o meno. Fu anche richiesto di sviluppare la deposizione del nitruro di silicio. L'idea era di sfruttare le cariche intrappolate nell'interfaccia come elemento di memoria. La ricerca avrebbe dato origine all'invenzione del Planox.. ma niente  che potesse essere utile allo scopo. Con l'uscita della Faichild la ricerca venne del tutto abbandonata.

         Mi rinase nella memoria il nome di Frohman-Bentoski, che lavorava per la Fairchild, sullo stesso argomento. Scriveva articoli sulla conduzione degli ossidi, che mostravano capacità di analisi notevole. Pensavo che fossero due persone avrei scoperto che era una sola persona solo nel 1978.

Veniamo al monobit di Enzo Daniele.
Enzo fu assunto nel 1968 per lavorare con me su un argomento che stava molto a cuore della Fairchild: dispositivi che avessero tensione di breakdown maggiore di 30 volt ed avessero piccola distorsione. Avrebbero dovuto essere utilizzati nei televisori al posto delle valvole termoioniche ,usate a quel tempo. 

 

L'idea di Enzo era di intrappolare delle cariche delle cariche in uno strato di silicio flottante, cioe' non connesso a nessun elettrodo metallico, interno all'ossido di gate e di controllare i cambiamenti di carica con due elettrodi di gate. Avevo varie obiezioni alla proposta, per cui non se ne fece niente  per oltre un anno. Ma alla fine si fece un test pattern di prova, provando un singoli bit.
Gli altri colleghi lavoravano alla RAM da 16 kbit, per cui Enzo veniva preso in giro per lavorare sul monobit. Un passo indietro notevole. Ma l'idea funzionò alla prima prova, con vari problemi pratici da risolvere e presto fu trovato anche un cliente.
La prima applicazioni fu una memoria da 16x17bit, il 17esomo bit e' ritondante, per sostituire qualche eventuali bil non funzionante.
Nel 1978 si decise  di presentare il successo ottenuto a ISSCC e qui vi fu una sorpresa Frohman-Bentosky, adesso con Intel, presentava una memoria da 8kbit. Un bel divario da colmare.
Inoltre la memoria era funzionante per solo 10 mila cicli.
Ma c'era una soluzione: la scrittura e la lettura intelligente. Trovava implementazione oltre 10 anni dopo e presentata in una presentazione di grande successo da M Dallabora ancora all'ISSCC.
Nel 1981 per il mio trasferimento a Catania lasciai' il campo ad altri protagonisti primo fra tutti Giuseppe Corda che con costante impegno per molti anni ha portato avanti lo sviluppo delle tecnologie con molta attenzione alle esigenze di progettazioni.
Una parte piccola, ma molto interessante dell'attività, nel 1990, con il Corimme approdava a Catania.
Franz List ne era il responsabile, seguirono Raul Sud ed alla fine Casagrande.

Un momento importante fu l'avviamento del nuovo front-end M5 alla lavorazione completato a Catania attorno al 1995/96. L'ing Ennio Filauro che dal 1981 era il responsabile dell'attività curò con molto impegno e leadership l'avviamento della produzione delle memorie non volatili.
Ennio era già stato dalla metà degli anni 70 responsabile del sito di Catania per SGS-Ates.
Una svolta fondamentale era stato la cura della congruenza fra tecnologia e progetta curata, se non erro da Luciano Gandolfi.
L'attività di produzione portò a Catania molte vecchi conoscenze come Peppe Crisenza e soprattutto le visite mensili dell'ing Zocchi e Joel Monier.
Catania non era più la periferia dell'impero,. Almeno trenta persone passarono dalla ricerca della DSG in varie posizione nella nuova attività fra questi Carmelo Magro che divenne responsabile della produzioni. Ma il buon tempo non poteva durare per sempre. Nel 1998 Carlo Bozotti succedette ad Ennio Filauro, ma i margini cominciarono a peggiorare, le crisi del 2000 e del 2003 non aiutarono di certo. Nel 2004 Carlo Bozotti lasciò la guida del gruppo per diventare CEO di ST.
Venne creata una nuova la Numonyx con a capo il dott. Mario Licciardello. Ma nel 2019 fu acquisita da Micron.. Ma a questo punto le mie conoscenze sono molto nebulose,
Nel 2015 tuttavia progettisti di provenienza ST con altri di Intel presentavano la 125Gbit.
Un bel progresso dal monobit di Enzo Daniele in soli 37 anni.
28 raddoppi di densità in 37 anni.
Paolo Cappelletti ancora in attività ha avuto l'opportunità' di conoscere tutti i protagonisti e cosi pure Mario Licciardello.



 

 

 

 


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