M088, (196x 174mils) n-channel Silicon Gate
terza versione micro 4 bit, circa 1974
terza versione micro 4 bit, circa 1974
Nel dicembre del 1969 mi fu comunicato che il gruppo di circa 15 ricercatori di cui ero il responsabile sarebbe stato sciolto ed sarei passato alle dipendenze di Franco Berenga per lo sviluppo dei processi MOS.
La cosa non mi colse molto di sorpresa perché da tempo correva voce che i transistori discreti erano in difficoltà perché non generavano utile.
Il sistema per calcolare il prezzo di vendita era piuttosto bizzarro, per quello che ne sapessi.
La cosa non mi colse molto di sorpresa perché da tempo correva voce che i transistori discreti erano in difficoltà perché non generavano utile.
Il sistema per calcolare il prezzo di vendita era piuttosto bizzarro, per quello che ne sapessi.
Per generare utile il prezzo doveva essere 10 volte il costo del silicio in modo da coprire tutti i costi indiretti. Ma a parte i primi due transistori progettati per i tuner dei televisori, che erano microscopici, gli altri quali il transistore per la deflessione di quadro avevano dimensioni notevoli, ma un processo semplice e con rese elevati.
Correva anche un'altra legenda, quella che i tempi di produzione fossero anche di sei mesi.
La ricerca era divisa in laboratorio applicazione e ricerca tecnologica.
Questa aveva circa quattro gruppi, un gruppo per lo sviluppo dei processi di fabbricazione e tre gruppi per lo sviluppo di prodotti, discreti, analogici e digitali.. Vi era un turnover notevole nei gruppi.
I primi circuiti digitali erano stati gli RTL (Resistor Transistor Logic) con tecnologia bipolare.
Le tecnologie in sviluppo per i circuiti digitali erano per MOSFET (metal oxide silicon field effect), distinte per il materiale di gate alluminio, che non consente l'auto allineamento di source e drain o un materiale refrattario che consentisse di avere source e drain auto allineati alla gate.
Per i progettisti circuitali circuitali una piu' significativa distinzione era data dalla tensione di soglia ottenibile che doveva essere bassa per garantire una compatibilità con i circuiti bipolari.
Gli scambi con la Fairchild erano intensi, gli obiettivi molto ambizione.
Questa aveva circa quattro gruppi, un gruppo per lo sviluppo dei processi di fabbricazione e tre gruppi per lo sviluppo di prodotti, discreti, analogici e digitali.. Vi era un turnover notevole nei gruppi.
I primi circuiti digitali erano stati gli RTL (Resistor Transistor Logic) con tecnologia bipolare.
Le tecnologie in sviluppo per i circuiti digitali erano per MOSFET (metal oxide silicon field effect), distinte per il materiale di gate alluminio, che non consente l'auto allineamento di source e drain o un materiale refrattario che consentisse di avere source e drain auto allineati alla gate.
Per i progettisti circuitali circuitali una piu' significativa distinzione era data dalla tensione di soglia ottenibile che doveva essere bassa per garantire una compatibilità con i circuiti bipolari.
Gli scambi con la Fairchild erano intensi, gli obiettivi molto ambizione.
Flip chip, cioe' chip senza package che dovevano essere affidabile perche' lo strato di passivazione finale, nitruro doveva essere impermeabile alle contaminazioni esterne
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